[发明专利]用于化合物半导体的薄膜层的生长方法无效
| 申请号： | 86106177.2 | 申请日： | 1986-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1004455B | 公开（公告）日： | 1989-06-07 |
| 发明（设计）人： | 松居祐一 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 日本大阪府大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种生产化合物半导体的方法，它包括一个在化合物半导体的衬底或底层上除去杂质分子的步骤，它在生长外延层之前，将III族分子束或V族分子束投射到化合物半异体的衬底或底层上，以及一个在化合物半导体的衬底或底层上生长III族和V族原子的化合物半导体薄膜层的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化合物 半导体 薄膜 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生产化合物半导体的方法，包括一个在化合物半导体的衬底或底层上除去杂质分子的步骤、而在衬底或底层上生长外延层之前，将III族分子束或V族分子束投射到化合物半导体的衬底或底层上，以及一个在化合物半导体的衬底或底层上生长一层III族和V族原子的化合物半导体薄膜层的步骤，其特征在于投射到化合物半导体衬底或底层的III族V族分子束的量较需要形成1个原子层的分子数小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
