[发明专利]利用磁场的微波增强型CVD系统和方法无效

专利信息
申请号: 86106620.0 申请日: 1986-10-14
公开(公告)号: CN1027549C 公开(公告)日: 1995-02-01
发明(设计)人: 山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 肖掬昌,吴增勇
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明展示一种改进的化学气相淀积法;在这种方法中,回旋共振与光或等离子体化学气相淀积法相配合,以高的淀积速度沉积具有高性能的薄膜。高淀积速度归因于回旋共振,而高质量性能归因于两种化学气相淀积法(CVDs)的组合。
搜索关键词: 利用 磁场 微波 增强 cvd 系统 方法
【主权项】:
1.一种化学汽相淀积方法,它包括下列步骤:将一种第一气体输入到一谐振腔中,该第一气体包括一种由Ar、He、Ne、Kr、N2O、NO、NO2、CO、CO2、H2O、N2、NH3、N2H2、NF3、N2F6、O2及H2的组合中选出的物料;将一种第二气体输入到邻接所述谐振腔的反应室中,该第二种气体包括一种由SinH2n+1(n≥1),SiFn(n≥2),SiHnF4-n(1≤n≤4),GeH4,GeF4,GeHnF4-n(n=1,2,3),Al(CH3)3,Al(C2H5)3,AlCl3,Ga(CH3)3,Ga(C2H5)3,SiH4,Si2H6,SiF4,SiH2Cl2,TiCl4,N2,O2,PH3(或P2H6),和NH3的组合中选出的物料;供助微波和磁场在所述谐振腔中产生回旋共振腔以激发所述第一气体;将受激的所述第一气体引进所述反应室以激发所述第二气体;将能量输入到所述反应室以进一步激发所述第二气体,所述能量是电能、光能或这些能量的结合;以及在所述反应室中从所述第一气体和第二气体或从所述第二气体在衬底上淀积一薄膜。
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