[发明专利]利用磁场的微波增强型CVD系统和方法无效
申请号: | 86106620.0 | 申请日: | 1986-10-14 |
公开(公告)号: | CN1027549C | 公开(公告)日: | 1995-02-01 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖掬昌,吴增勇 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明展示一种改进的化学气相淀积法;在这种方法中,回旋共振与光或等离子体化学气相淀积法相配合,以高的淀积速度沉积具有高性能的薄膜。高淀积速度归因于回旋共振,而高质量性能归因于两种化学气相淀积法(CVDs)的组合。 | ||
搜索关键词: | 利用 磁场 微波 增强 cvd 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种化学汽相淀积方法,它包括下列步骤:将一种第一气体输入到一谐振腔中,该第一气体包括一种由Ar、He、Ne、Kr、N2O、NO、NO2、CO、CO2、H2O、N2、NH3、N2H2、NF3、N2F6、O2及H2的组合中选出的物料;将一种第二气体输入到邻接所述谐振腔的反应室中,该第二种气体包括一种由SinH2n+1(n≥1),SiFn(n≥2),SiHnF4-n(1≤n≤4),GeH4,GeF4,GeHnF4-n(n=1,2,3),Al(CH3)3,Al(C2H5)3,AlCl3,Ga(CH3)3,Ga(C2H5)3,SiH4,Si2H6,SiF4,SiH2Cl2,TiCl4,N2,O2,PH3(或P2H6),和NH3的组合中选出的物料;供助微波和磁场在所述谐振腔中产生回旋共振腔以激发所述第一气体;将受激的所述第一气体引进所述反应室以激发所述第二气体;将能量输入到所述反应室以进一步激发所述第二气体,所述能量是电能、光能或这些能量的结合;以及在所述反应室中从所述第一气体和第二气体或从所述第二气体在衬底上淀积一薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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