[其他]铁硅铝合金磁膜及其制造方法和迭层薄膜磁头无效
| 申请号： | 86106790 | 申请日： | 1986-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN86106790A | 公开（公告）日： | 1987-07-15 |
| 发明（设计）人： | 斋藤和宏;森泰一 | 申请（专利权）人： | 日本矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/14 | 分类号： | H01F10/14;H01F41/22;G11B5/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及铁硅铝合金磁膜及其制造方法和迭层薄膜磁头。所述磁膜有一基底和在其上形成的铁硅铝合金膜。所述基底的热膨胀系数比上述铁硅铝合金膜的低。将上述合金膜的氩含量控制在0.01至0.3％重量比的范围内，以使膜中的内应力基本为零。通过用DC溅射装置向基底提供RF偏压并控制组分的重量比来淀积上述磁膜。用本发明的磁膜制造的迭层薄膜磁头具有矫顽力低、导磁率高的良好磁性能。 | ||
| 搜索关键词： | 铝合金 及其 制造 方法 薄膜 磁头 | ||
【主权项】：
1、一种铁硅铝合金磁膜，它是具有基片以及在基片上形成的铁硅铝合金膜的磁膜，其特征在于：上述基片的热膨胀系数小于上述铁硅铝合金膜的热膨胀系数，把膜中的含氩量控制在0.01～0.3%重量比的范围内，以便使上述铁硅铝合金膜内的内部应力实际上降到零。
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