[其他]半导体三极管发射结反向过电压保护电路和有保护能力的可调直流稳压电源无效
| 申请号： | 86107071 | 申请日： | 1986-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN86107071A | 公开（公告）日： | 1987-03-25 |
| 发明（设计）人： | 韩金祥 | 申请（专利权）人： | 韩金祥 |
| 主分类号： | H01L23/56 | 分类号： | H01L23/56;G05F1/56 |
| 代理公司： | 浙江省专利事务所 | 代理人： | 孙家丰 |
| 地址： | 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 半导体三极管发射结反向过电压保护电路，一种半导体放大器线路，在三极管的基极串联一只二极管，基极和发射极之间并联一只二极管，即能有效地保护三极管的发射结，使它不受高反偏压而损坏，将此方法应用于可调直流稳压电源，做成输出电压在较大范围内可调的稳压电源，此电源具有良好的短路保护性能和很高的工作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 三极管 发射 反向 过电压 保护 电路 能力 可调 直流 稳压电源 | ||
【主权项】：
1、半导体三极管发射结反向过电压保护电路，一种半导体放大器线路，本发明的特征是在所要保护的半导体三极管的基极上串联一只二极管，此二极管的极性和上述三极管的发射结的极性同向，同时在所述的三极管的基极和发射极之间并联一只二极管，此二极管的极性与三极管的发射结的极性相反。
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