[其他]交流互补开关无效

专利信息
申请号: 86107250 申请日: 1986-10-23
公开(公告)号: CN86107250B 公开(公告)日: 1988-06-22
发明(设计)人: 徐国祥 申请(专利权)人: 红山机电研究所
主分类号: H01H9/30 分类号: H01H9/30;H03K17/72
代理公司: 兵器工业部专利代理事务所 代理人: 王维新
地址: 内蒙古自治*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 发明提出了一种新的互补开关。在与主触点并联的双向可控硅的第一主端子和门极之间接入一个RC串联回路,控制触点接在门极和第二主端子之间,并且主触点同控制触点反相同步动作,使开关动作时间变短。即接入的RC回路在可控硅截止时被控制触点接在第一和第二主端子之间,构成阻容吸收回路,并且将门极电位封锁,起保护可控硅的作用。当需要导通可控硅时,控制触点断开,RC回路只接在第一主端子和门极之间,保证可控硅可靠导通。
搜索关键词: 交流 互补 开关
【主权项】:
1、一种交流互补开关,具有一组以上的触点组,每一触点组均包括一对常开触点〔5〕和一对常闭触点〔4〕,它们在同一个传动定位机构(触点操作机构)的驱动下反向同步动作,在其中的一对触点〔5〕上并联有双向可控硅(TRIAC)〔1〕,另一对触点〔4〕接在双向可控硅〔1〕的第二主端子〔8〕和门极〔9〕之间,在双向可控硅门极〔9〕和第一主端子〔7〕之间接有用来控制双向可控硅通断的控制回路,本发明的特征是:所说的控制回路由一个电阻〔2〕和一个电容〔3〕串联而成,并且该串联回路的参数同时满足对该双向可控硅的dv/dt吸收保护条件和触发条件。
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