[其他]半导体探测器的保护装置无效

专利信息
申请号: 86107440 申请日: 1986-12-15
公开(公告)号: CN86107440A 公开(公告)日: 1988-06-29
发明(设计)人: 吴万侯 申请(专利权)人: 中国有色金属工业总公司矿产地质研究院
主分类号: G01D5/00 分类号: G01D5/00;G12B17/00
代理公司: 中国有色金属工业总公司专利事务所 代理人: 王俭
地址: 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明为一种硅锂、锗锂或高纯锗半导体探测器的保护装置,由充满了液氮容器中不断溢出的氮气的保护罩组成。可以作到不附加光子损失条件下,在相对湿度达95%的环境中有效地保护半导体探测器的铍窗免受腐性气体的腐蚀,并同时解决了高压引入端和前置放大器的干燥问题。保证了探测器的灵敏度的同时,大大延长了探测器的寿命。
搜索关键词: 半导体 探测器 保护装置
【主权项】:
1、一种半导体探测器的保护装置,特别是一种硅锂,锗锂或高纯锗半导体探测器的防腐蚀保护装置,由保护罩[1]组成,其特征在于:a、所说的保护罩[1]为半密封状态,b、液氮容器[2]的氮气溢出口[3]和探测器的铍窗[4]同位于保护罩[1]内,c、保护罩[1]内充满了液氮容器[2]中不断溢出的氮气。
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