[发明专利]半导体探测器的保护装置无效
| 申请号： | 86107440.8 | 申请日： | 1986-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1009886B | 公开（公告）日： | 1990-10-03 |
| 发明（设计）人： | 吴万侯 | 申请（专利权）人： | 中国有色金属工业总公司矿产地质研究院 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;G01T1/24 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业总公司专利事务所 | 代理人： | 王俭 |
| 地址： | 广西桂林*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明为一种硅锂、锗锂或高纯锗半导体探测器的保护装置，由充满了液氮容器中不断溢出的氮气的保护罩组成，可以作到不附加光子损失条件下，在相对温度达95％的环境中有效地保护半导体探测器的铍窗免受腐性气体的腐蚀，并同时解决了高压引入端和前置放大器的干燥问题，保证了探测器的灵敏度的同时，大大延长了探测器的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 探测器 保护装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体探测器的保护装置，特别是一种硅锂，锗锂或高纯锗半导体探测器的防腐蚀保护装置，由保护置〔1〕组成，其特征在于：a、所说的保护罩〔1〕安装于液氮容器〔2〕的上部，将液氮容器〔2〕的氮气溢出口〔3〕和探测器的铍窗〔4〕罩于其内，b、保护罩〔1〕为半密封状态四周及底面密封，顶部设有窗口〔8〕，c、保护罩〔1〕内充满了液氮容器〔2〕中不断溢出的氮气。
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