[其他]沉积膜形成方法无效
| 申请号： | 86108874 | 申请日： | 1986-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN86108874A | 公开（公告）日： | 1987-09-09 |
| 发明（设计）人： | 齐藤惠志;广冈政昭;半那纯一;清水勇 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;C23C16/24;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 吴大建,全菁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 沉积膜形成方法，其中通过各自独立地反应区通入形成沉积膜的气态原料和对所述原料有氧化作用的气态卤素氧化剂以便按化学反应形成沉积膜。该方法包括，在活化区预先活化可形成能带宽控制剂的气态物质(B)以形成活化体；然后将所述的活化体通入反应区以便在处于成膜区的基体上形成可控制能带宽的沉积膜。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、沉积膜形成方法，其中通过各自独立地向反应区通入形成沉积膜的气态原料和对所述原料有氧化作用的气态囟素氧化剂以便按化学反应形成沉积膜，该方法包括，在活化区预先活化可形成能带宽控制剂的气态物质(B)以形成活化体，然后将所述的活化体通入反应区以便在处于成膜区的基体上形成可控制能带宽的沉积膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
