[其他]敏紫外硅光敏三极管无效
| 申请号： | 86204468 | 申请日： | 1986-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN86204468U | 公开（公告）日： | 1987-01-28 |
| 发明（设计）人： | 陈伟秀 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10 |
| 代理公司： | 武汉大学专利事务所 | 代理人： | 龚茂铭 |
| 地址： | 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种敏紫外硅光敏三极管，它适用于检测从紫外(190nm)到近红外(1100nm)的入射辐射。它采用栅状或网状基区结构，主要以集电区作为直接受光面，大大地提高了集电结对紫外光谱区光生载流子的收集效率，实现了从紫外到近红外的光电探测。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 光敏 三极管 | ||
【主权项】：
1、一种具有发射极(10)、基极(11)和集电极(12)的敏紫外硅光敏三极管，其特征在于基区(3)是一种栅状或网状结构，用集电区(1)作为主要的直接受光面，集电结(4)的结深可以在2-4μm范围内选取。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
