[其他]超高频中功率负载无效
| 申请号： | 86207242 | 申请日： | 1986-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN86207242U | 公开（公告）日： | 1988-03-09 |
| 发明（设计）人： | 乔世忠;张广英;曹瑛花 | 申请（专利权）人： | 上海市测试技术研究所 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22;H01P11/00 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 胡英浩 |
| 地址： | 上海市长乐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种超高频中功率负载采用了特殊设计的卡片式衰减片，并使用新型材料氮化钽铝作为基体。这种卡片式衰减片可以在产品成型后进行阻抗再调节，提高产品的精度和合格率。本产品体积小，衰减功率大，不用风冷，可以用作代天线或用作功率指示。 | ||
| 搜索关键词： | 超高频 功率 负载 | ||
【主权项】：
1、一个超高频(VHF)中功率(P≤120w)负载，包括一个同轴传输内导体，散热片，一个绝热过渡传输线，一个功率输入接头和衰减片，本发明的特征在于该同轴传输内导体上安置有散热片，一个高频功率输入接头固定在该同轴传输内导体的一端，该高频功率接头的另一端延伸进入该内导体中，与位于该内导体中的绝热过渡传输线的一端相接触，该绝热过渡传输线用于绝热并用于阻抗匹配，其另一端与卡片式衰减片相接触，在该卡片式衰减片上溅射有用于衰减功率的复合阻抗材料；上述复合电阻被溅射成分段的中间电阻，在中间电阻的两边溅射有用于按设计要求进行阻抗再调整的边缘电阻；上述卡片式衰减片可由氧化铍为基体制成；经衰减片衰减的小功率讯号可经过传输电缆经过一个检波电路由表头指示高频功率；溅射在上述卡片式衰减片上的电阻材料为氧化钽铝。
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