[其他]一种蓝紫光范围的异质结光晶体管无效
| 申请号： | 86207430 | 申请日： | 1986-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN86207430U | 公开（公告）日： | 1987-05-20 |
| 发明（设计）人： | 黄小康;孙宝寅;孙成诚;薛保兴;张培蓉 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;G01J3/00 |
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 胡兰芝 |
| 地址： | 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及到一种异质结光晶体管，它特别适用于蓝紫光范围的光检测。其基本特征是在基区和发射区材料之间有一组分渐变层，用选择性腐蚀液将光敏面处的发射区材料全部腐蚀掉，而保留组分渐变层。本实用新型的优点是①光谱响应范围宽，蓝紫光范围光响应度高；②制做工艺简便。可用于纺织、印刷的自动测色、光通讯等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫光 范围 异质结光 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种GaAs/GaAlAs异质结光晶体管，在基区与发射区之间有一由GaAs到GaAlAs的组份渐变层，其特征在于光敏面处的发射区材料全部被腐蚀掉，而保留部分以至全部组份渐变层，组份渐变层Ga1-XAlXAsX为0～0.5，其厚度为200～800，光敏面处组份渐变层的X为0.3～0.5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
