[发明专利]一种半导体图象传感器无效
申请号: | 87100058.X | 申请日: | 1987-01-06 |
公开(公告)号: | CN1008784B | 公开(公告)日: | 1990-07-11 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;间濑晃;浜谷敏次 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L31/078 | 分类号: | H01L31/078;H01L31/10 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 萧掬昌,肖春京 |
地址: | 日本奈川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 介绍了一种经过改良的光电转换器。流光电转换器包括多个光电半导体元件,各光电半导体元件由第一电极、半导体层和第二电极组成。半导体层的相对表面完全为第一和第二电极所遮盖。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 图象 传感器 | ||
【主权项】:
1、一种包括一衬底和一光电半导体层的图象传感器,其特征在于它包括:形成在所说衬底上的多个下电极;按矩阵形式设置的各自形成在所说下电极上的多个光敏部件;在所说光敏部件间有一种填充空间用的有机绝缘材料,以便形成其上表面与所说光敏部件的上表面齐平;以及形成在所说有机绝缘材料和所说光敏部件的上表面上的一个公共电极,以便各光敏部件组成一个独立的可以用所说下电极中的一个相应电极和所说公共电极工作的光传感器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/87100058.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:生产热海绵铁的方法
- 下一篇:打印机装置的托架固定机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的