[其他]湿化学共沉淀氧化锆(Mg-PSZ)的封接工艺无效
| 申请号： | 87100243 | 申请日： | 1987-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN87100243B | 公开（公告）日： | 1988-08-10 |
| 发明（设计）人： | 温廷琏;施鑫陶;李晓飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C03C8/24 | 分类号： | C03C8/24;C04B37/00 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 聂淑仪,潘振苏 |
| 地址： | 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 湿化学共沉淀制备的氧化锆(Mg-PSZ)的封接工艺，介绍了一种用固体电触质陶瓷(Mg-PSZ)与玻璃、陶瓷及合金的封接，可分别采用煤气一氧气混合焰的普通灯工吹制及过火技术中温封接及中、低温范围不同降温速率的封接。本发明工艺简单，封接件可达真空气密或氦检气密的要求。特别是由于Mg-PSZ可与合金进行封接，拓宽了Mg-PSZ作为氧敏器件的技术应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 共沉淀 氧化锆 mg psz 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用湿化学法共沉淀制备的氧化锆(Mg-PSZ)的封接工艺，其特征在于：A、选用封接材料a.Mg-PSZ作主要封接材料；b.95-氧化锆陶瓷、DM-308玻璃，4529铁线钴合金作可以封接的材料；B.封接方式直接封接，加封接剂DM-308玻璃的封接；C.工艺条件a.中温950～1050℃保温半小时b.普通灯二吹制及退火。
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