[发明专利]薄膜磁头及其制造方法无效
申请号: | 87100502.6 | 申请日: | 1987-01-27 |
公开(公告)号: | CN1004035B | 公开(公告)日: | 1989-04-26 |
发明(设计)人: | 今中律;高木政幸;户川卫星;藤治信;长池完训;大浦正树;铃木三郎;小林哲夫;锹俊一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 曹济洪,董江雄 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种薄膜磁头,在其由第一和第二磁层构成的磁路中,带有两层导体层。该磁路在其与录制介质相对的一侧,有着第一和第二磁层在基本等于缝隙深度的长度上相互对应的部分,而非磁性缝隙层插入其间,另外还有着上述两磁层相互连接的前部。缝隙层的边缘构成了磁路的缝隙。如上配置的薄膜磁头可在不减少其生产量的情况下实现高密度录制。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 磁头 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜磁头,包括:基底(1);形成于所述基底上的第一磁层(30);形成于所述第一磁层上的非磁性缝隙层(4);形成于所述缝隙层上的第一绝缘层(5);形成于所述第一绝缘层上的螺旋形绕组的一层第一导体层(6);形成于所述第一导体层上的第二绝缘层(7);形成于所述第二绝缘层上的螺旋形绕组的一层第二导体层(8),所述第二导体层与所述第一导体层电气连接以构成一个两层导体线圈;形成于所述第二导体层上的第三绝缘层(92);以及形成于所述第三绝缘层上和所述缝隙层的一部分上且与所述第一磁层相接触以构成一磁路的第二磁层(101);其特征在于,在由所述缝隙(4)和所述第二磁层(101)所限定的空间内的所述第一和第二导体层(6,8)的相对配置是样的,使得在基本上与基底表面相平行的基准面和取在垂直于基底表面的平面上的连接第一和第二导体层(6,8)的横截面的表面边缘(6c,8c)的连线之间所构成的角(θ1),基本上等于在所述基准面和所述第二磁层(101)的侧斜面之间所构成的角(θ2),且各所述角基本上是在30°至45°的范围内。
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