[其他]三氯氢硅(SiHCl3)的制备无效
| 申请号： | 87100535 | 申请日： | 1987-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN87100535A | 公开（公告）日： | 1987-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张崇玖 | 申请（专利权）人： | 张崇玖 |
| 主分类号： | C01B33/08 | 分类号： | C01B33/08 |
| 代理公司： | 江苏省南通市专利服务部 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | SiHCl3(三氯氢硅)是制备高纯多晶硅的主要原料。以往SiHCl3的合成是采用HCl气体通入到加热的硅粉中制备，用固定床反应时SiHCl3的产率只有60—70％。用沸腾床反应时可使SiHCl3的产率提高到80—90％，其余主要为SiCl4副产物。本发明是利用废物SiCl4作为原料，与HCl一起通入到加热的硅粉中，通过调节SiCl4通入量的大小，控制SiHCl3的收率，直至达到100％。 | ||
| 搜索关键词： | 三氯氢硅 sihcl3 制备 | ||
【主权项】：
1、三氯氢硅(SiHCl3)的合成方法，采用HCl气体通入到加热的硅粉中来制备，本发明的特征是：在通入HCl到加热硅粉的同时，增加通入SiCl4，由调节SiCl4的通入量来控制SiHCl3的收率。
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