[发明专利]制造光电器件和其他半导体器件用的氢化非晶硅合金的沉积方法

摘要

分子式为(MX3)nM′X4-n的化合物，M和M′是不同的4A族原子，M和M′中至少有一个是硅烷，X是氢、卤素或它们的混合物，它在形成用于制造光电器件和电子敏感器件的氢化非晶硅合金时作为沉积物原料。掺杂剂的分子式为(SiX3)mLX3-m，L是一个5A族原子，选自磷、砷、锑和铋组，X是氢、卤素或它们的混合物，它们用于制造负掺杂氢化非晶硅合金。掺杂剂的分子式为YJX2，Y是卤素或羰基，J是一个3A族原子，X是氢、卤素或它们的混合物；它们用于形成正掺杂氢化非晶硅合金。

主权项

1.制备负掺杂的氢化非晶硅合金膜的方法，包括以下步骤：a)将一种基板置于沉积室中；b)将一种沉积气体混合物引入所说的沉积室，该混合物包括一种或多种下式掺杂剂；(MX3)nM′X4-n其中，M和M′为4A族的不同原子，M和M′中至少一个是硅，X是氢、卤素或它们的混合物，n是1-4的一个整数，其中，所说掺杂剂大约占所说气体混合物体积的1-50％；且c)在约150-400℃温度范围、约0.1-50.0Torr(mmHg)的压力范围下，用所说室将一种负掺杂的氢化非晶硅合金膜沉积到所说基板上。