[其他]深区PN结二极管无效
| 申请号： | 87100967 | 申请日： | 1987-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN87100967A | 公开（公告）日： | 1987-11-11 |
| 发明（设计）人： | 孙本栋;林志刚 | 申请（专利权）人： | 山东烟台无线电九厂 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/72;H01L21/28 |
| 代理公司： | 烟台市专利事务所 | 代理人： | 刘志毅 |
| 地址： | 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体二极管，其采用深区PN结的结构形式，以耐溶金属为接触电极并选用了钛、铬、银三层金属化系统。用氧化置换反应刻蚀电极。在高真空中进行热处理，使钛与二氧化硅反应形成陶瓷状的化合物。由于采用体内PN结结构，消除了表面影响，在高温下基本上防止了PN结的退化和穿通。 | ||
| 搜索关键词： | 深区 pn 二极管 | ||
【主权项】：
1、一种深区PN结二极管，其特征是在芯片的深N+层2、深P+层4中形成PN结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东烟台无线电九厂，未经山东烟台无线电九厂许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/87100967/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
