[发明专利]适用于开管镓扩散的石英管的制造工艺无效
申请号: | 87101336.3 | 申请日: | 1987-05-13 |
公开(公告)号: | CN1014701B | 公开(公告)日: | 1991-11-13 |
发明(设计)人: | 田淑芬;薛成山 | 申请(专利权)人: | 山东师范大学 |
主分类号: | C03C17/30 | 分类号: | C03C17/30;H01L21/02 |
代理公司: | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人: | 崔日新,李荣升 |
地址: | 山东省济南*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种适用于开管镓扩散的石英管制造工艺,利用Si3N4膜可屏蔽镓元素的原理,在CVD炉中通入硅烷和氨气。使之发生热分解反应,在普通石英扩散管壁上生成一层Si3N4薄膜。使用该类石英管扩镓生产的半导体器件在稳定扩散参数条件下,电参数的一致性和重复性好,该类石英管的寿命比普通石英管大大延长。 | ||
搜索关键词: | 适用于 开管镓 扩散 石英管 制造 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种适用于开管镓扩散的石英管制造工艺,将石英管用常规清洗洗干净后。烘干,投入CVD炉中。其特征在于,CVD炉温调在400℃-1300℃之间,在此温度段内任取一定温度定好。恒温10分钟后,向石英管中通入硅烷和氨气在N2或H2的负载气氛中进行热分解生成一层厚度为0.1-0.5μm的Si3N4层。
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