[发明专利]晶体单面定向生长方法和装置在审
| 申请号： | 87101378.9 | 申请日： | 1987-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1034028A | 公开（公告）日： | 1989-07-19 |
| 发明（设计）人： | 房昌水;王民 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B7/08 | 分类号： | C30B7/08 |
| 代理公司： | 山东大学专利事务所 | 代理人： | 孙君 |
| 地址： | 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 晶体的单面定向生长方法和装置，属于晶体生长技术领域，本发明采用高质量定向切片晶体作籽晶，固定在特制夹具内，夹具又以θ角固定在籽晶旋杆上，选适当的转速，其它参数及装置按已知晶体生长技术。本发明为高速度生长高质量晶体打下了良好的基础，由于本发明操作简单、取材广泛、生长晶体成本低，质量高，因而在晶体生长领域有着广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 单面 定向 生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、晶体的单面定向生长方法与装置，在高质量晶体上，选使用面为生长面切片，将此定向切片作为籽晶固定于特制夹具内，夹具大小与籽晶尺寸相一致，夹具的材料取决于生长的材料及生长温度，该夹具只允许晶体生长面暴露于生长液中，生长面迎液面运动，保持与新鲜母液接触，夹具面与籽晶旋杆以夹角θ固定在一起，0＜θ＜90°，转速30-70r·p·m·，籽晶的尺寸、θ的大小及籽晶转速均与溶液的多少有关，将固定好的籽晶下到测好饱和点的生长液中，按一般已知降温速度生长。
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