[其他]硅器体化学镀镍与化学腐蚀工艺无效
| 申请号： | 87102147 | 申请日： | 1987-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN87102147A | 公开（公告）日： | 1988-10-12 |
| 发明（设计）人： | 何敬文;刘斌;刘雅言;王中纪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/308;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科院长春专利事务所 | 代理人： | 宋天平,曹桂珍 |
| 地址： | 吉林省长*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 硅器件化学镀镍与化学腐蚀工艺，本发明属硅器件生产中在硅片表面实现无黑胶掩蔽选择性化学镀镍与化学腐蚀技术。采用本发明的工艺，可一步实现太阳电池正面栅电池和背电池的制造，用在硅器件的选择性镀镍与腐蚀工艺也可取代繁复而又有害的黑胶掩蔽工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 硅器体 化学 腐蚀 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种硅器件化学镀镍与化学腐蚀工艺，本发明的特征是以光刻胶直接作为硅片表面掩蔽涂层，带胶化学镀镍形成所需的接触电极，采用涂敷光刻胶再复以胶带纸的方法实现硅片掩蔽化学腐蚀，取代黑胶(BlackWax)掩蔽工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春应用化学研究所，未经中国科学院长春应用化学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/87102147/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数字温度温差仪
- 下一篇：生物电信号检测处理装置和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
