[发明专利]光接收元件无效
申请号: | 87102632.5 | 申请日: | 1987-04-08 |
公开(公告)号: | CN1012851B | 公开(公告)日: | 1991-06-12 |
发明(设计)人: | 天田搏;武井哲也;白井直子 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G5/08 | 分类号: | G03G5/08;G03G5/082 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 刘建国 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种改进的用铝材料作为基底的、用于电子摄影和其它各类装置中的光接收元件,其特征在于,在基底和光接收层之间设有一层缓冲层,以改善在铝基底和设在其上的光接收层之间的粘结力。改进的光接收元件满意地解决了常规的光接收元件中由于在铝基底和压在其上的光接收层之间粘结力不足,而产生的各种问题。 | ||
搜索关键词: | 接收 元件 | ||
【主权项】:
1.一种光接收元件,包括主要由铝材料构成的基底和在所述基底上的至少一层光电导层,其特征在于:一层厚0.03-15μm的缓冲层,一层厚0.03-15μm的高阻中间层和一层厚1-100μm的光电导层,从所述基底一侧起顺序排列地设置在所述基底上;所述缓冲层包括含有硅原子和铝原子的非单晶材料,用以改进所述基底和所述高阻中间层之间的接触;所述高阻中间层包括含有下述原子的非单晶材料:硅原子,10-5×103原子ppm的从氧原子、碳原子和氮原子中选出的至少一种原子,从氢原子和卤素原子中选出的至少一种原子;所述光电导层包括一种非晶材料,这种非晶材料含有作为主要组份的硅原子和总量为1-40原子百分比的从氢原子和卤素原子中选出的至少一种原子。
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