[其他]消除半导体层制造缺陷的方法无效
| 申请号： | 87102718 | 申请日： | 1987-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN87102718B | 公开（公告）日： | 1988-08-31 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;铃木邦夫;金花美树雄;深田武;阿部雅芳;小林一平;柴田克彦;薄田真人;永山进;小柳薰 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京,萧掬昌 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明介绍了一种加工半导体器件的经过改良的方法。按照本发明，在制造半导体层过程中所产生的缝隙在用淀积法制造电极之前用绝缘体进行填充。借助这种结构。即使在半导体层上有透明电极，也不会形成短路电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 半导体 制造 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种治愈具有一正电极和一负电极的多个半导体元件中的缺陷的方法，其特征在于该方法包括下列步骤：制备多个串联连接的稳压器件，所说半导体元件相应于不同的稳压器件；将各半导体元件与相应的稳压器件并联；以及将一小于所说元件的最低击穿电压的电压以所说元件起绝缘元件作用的方向施加在该联串的所说稳压器件的两端，以使电流只流过所说缺陷，产生足够的热量以烧去所说缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
