[发明专利]半导体电压控制变容器

摘要

本发明公开一种半导体电压控制变容器，属电压控制的用于振荡或转换的半导体器件，具有MINP(金属-绝缘体-N型半导体-P型半导体)四层结构，该器件的电容值随两端所加电压的变化作特殊的变化，因而用途广泛，如可完全替代现有的变容二极管用于非线性振荡器，电压-频率变换器，有源滤波器、自动调谐、稳频器等电路中，也可作频域中的三值电路。本器件制作工艺一般，且与集成电路工艺相容，易于制得复合功能的集成块。

主权项

1、一种MINP四层结构的电压控制变容器，属电压控制的用于振荡或转换的半导体器件，由集电极[1]、SiO2绝缘层[2]、N型外延层[3]、P型衬底[4]和发射极[5]组成，该器件的电容值C为其两端电压Vec的函数，其特征是：①P型衬底[4]选用电阻率为0.08Ωcm以下的P型单晶硅，晶向，单面抛光，无位错，厚度为0.34至0.42mm；②N型外延层[3]用硅烷或四氯化硅外延生长，厚度为8至11μm，电阻率为10Ωcm左右，层错密度小于100个/cm2；③背面蒸铝电极制作发射极[5]，用真空蒸发法，衬底温度200℃，厚度大于3000A；④SiO2绝缘层[2]是在600℃、干氧流量为400ml/min时二小时内生成，厚度为80至100■，同时背面硅、铝合金化；⑤蒸正面铝，条件同蒸背面铝，只是衬底温度为150℃；⑥用常规光刻工艺反刻铝，制得集电极[1]；⑦封装采用2CK22开关二极管的陶瓷环氧封装工艺。