[发明专利]多层陶瓷线路板和半导体组件无效
| 申请号： | 87104031.X | 申请日： | 1987-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN1005241B | 公开（公告）日： | 1989-09-20 |
| 发明（设计）人： | 牛房信之;篠原浩一;永山更成;荻原觉;曾我太佑男 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H05K3/46 | 分类号： | H05K3/46;H05K1/03;C04B35/14;B32B18/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种由陶瓷层和布线导体层交替层迭组成的多层陶瓷线路板，陶瓷层有较布线导体层低的热膨胀系数，但不低于导体层热膨胀系数的一半，陶瓷层由软化温度不高于布线导体层熔点的玻璃形成。以及一种半导体组件，该组件的焊料接合部分有高的可靠性，它包括上述装着陶瓷载体基片的多层陶瓷线路板(陶瓷基片上装有半导体器件)和能用具有良好电导率的银或铜导体做的板。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 线路板 半导体 组件 | ||
【主权项】：
1.一种由陶瓷层和布线导体层交替层迭组成的多层陶瓷线路板，其中，布线导体层由低阻导电材料构成，陶瓷层由SiO2和玻璃形成，其特征在于：陶瓷层中SiO2的含量基本为20-85％，玻璃是从下列材料中选出的一种材料构成的：25％或更少的Al2O3、1-25％的MgO、50％或更少的B2O3、15-25％的ZnO、10-25％的CaO、2-20％的Li2O、10％或更少的K2O、50-60％的AlPO4、25-35％的Y2O3、5％或更少的P2O5、5％或更少的ZrO2、5％或更少的CaF2、6％或更少的AlN、5％或更少的CS2O，以及5％或更少的V2O5，其中百分比均为重量比；其软化温度不高于布线导体层的熔点，其热膨胀系数比布线导体层的低，但不低于布线导体层的热膨胀系数的一半，低导电材料为由金、银或铜中选出的一种金属。
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