[其他]富锂高掺镁铌酸锂晶体无效
申请号: | 87104070 | 申请日: | 1987-06-04 |
公开(公告)号: | CN87104070A | 公开(公告)日: | 1988-12-14 |
发明(设计)人: | 温金珂;唐燕生;吴仲康;王华馥 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30 |
代理公司: | 南开大学专利事务所 | 代理人: | 解松凡 |
地址: | 天津市上*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 铌酸锂晶体是一种光学材料,具有良好的电光性能和非线性光学性能,在激光方面可以制作光调制器、Q开关、光倍频器等器件。但是,在较低功率密度激光照射下,铌酸锂晶体会产生局部光致折射率的变化——光折变,限制了它的应用。本发明的特征在于通过控制投料配比的方法实现了富锂高掺镁铌酸优质晶体的制备,得到了一个最佳投料比,晶体性能很好。 | ||
搜索关键词: | 富锂高掺镁铌酸锂 晶体 | ||
【主权项】:
1、一种掺镁铌酸锂晶体,其特征在于它是由Li2CO3,Nb2O5MgO生成的化合物。
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