[发明专利]固体电解电容器制造方法无效

专利信息
申请号: 87104241.X 申请日: 1987-06-17
公开(公告)号: CN1010447B 公开(公告)日: 1990-11-14
发明(设计)人: 刘人敏;吴国良;王洪基;李月南 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院
主分类号: H01G9/02 分类号: H01G9/02
代理公司: 北京市第三专利代理事务所 代理人: 母宗绪,陆菊华
地址: 北京市新街*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种高比容固体钽电解电容器的制造方法。本方法的特征是在硝酸锰半导体母液中添加五硼酸铵,其量为硝酸锰半导体母液重量的0.1~1%,高热分解的温度为200°~250℃,本法工艺简便,半导体母液对钽阳极多孔体润湿性高,二氧化锰被覆率高,成品漏电流低,高温(+85℃)容量变化小,提高了产品耐压能力及合格率和其使用寿命,
搜索关键词: 固体 电解电容器 制造 方法
【主权项】:
1.一种固体电解电容器的制造方法,由具有阀作用的金属粉制成多孔烧结体,阳极氧化在多孔烧结体的表面形成阳极氧化膜,再将其浸渍在硝酸锰半导体母液中,浸渍后于高温水蒸汽气氛中进行高温热分解,被膜后,再依次被覆石墨层、金属层、装配、老炼而成产品,本发明的特征是,所说的固体电解电容器为高比容固体钽电解电容器,金属粉是高比电容金属钽粉,所说的硝酸锰半导体母液中硝酸锰的浓度为20~50%(重量百分数),在硝酸锰半导体母液中添加五硼酸铵(NH4B5O8·4H2O),添加五硼酸铵的量为硝酸锰半导体母液重量的0.1~1%,添加剂五硼酸铵只须在1~3次被膜时加入,高温热分解的温度为200℃~250℃。
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