[发明专利]聚焦误差检测系统及光读出和/或写入设备无效
申请号: | 87104584.2 | 申请日: | 1987-06-29 |
公开(公告)号: | CN1013721B | 公开(公告)日: | 1991-08-28 |
发明(设计)人: | 威廉·杰勒德·奥费尔 | 申请(专利权)人: | 菲利浦光灯制造公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 肖春京,肖掬昌 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一个位敏辐射检测器(1),它在一平面表面上包括至少两个相邻的反偏辐敏二极管,该检测器(1)包括一偏置电路(20),用以在二极管两端上建立反向电压的差值,以调节二极管辐敏区之间的边界(15)。为了调节边界(15)相对于辐射束入射到检测器(1)上地点的位置,可用由辐射束在辐敏二极管中所产生的光电电流,以将边界的实际位置和所需的边界位置相比较。位敏辐射检测器(1)特别适用于光读出和/或写入设备的聚焦误差检测系统中。 | ||
搜索关键词: | 聚焦 误差 检测 系统 读出 写入 设备 | ||
【主权项】:
1.一种辐敏半导体器件,该半导体器件包括一半导体本体和一电路,该半导体本体在一基本平坦的表面上提供至少两个子元件,该子元件构成辐敏二极管,二极管间有毗邻的半导体本体部分,子元件间的距离应足够小,以使子元件间的半导体本体因在二极管两端加上一反向电压而完全被耗尽区耗尽,以便抑止子元件间的电荷转移;该电路用以在辐敏二极管两端施加反向电压,以及用以检测在该耗尽区所组成的二极管辐敏区中由辐射所产生的光电电流;该辐敏半导体器件的特征在于该电路包括根据一控制信号将不同反向电压施加在二极管两端上的装置,以便调节该二极管辐敏区之间的边界。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于菲利浦光灯制造公司,未经菲利浦光灯制造公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/87104584.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:处理工艺排气的方法及设备
- 下一篇:含有近红外线吸收剂的安全油墨
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的