[发明专利]直拉硅单晶的气相掺氮方法无效
| 申请号： | 87105811.1 | 申请日： | 1987-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1003607B | 公开（公告）日： | 1989-03-15 |
| 发明（设计）人： | 阙端麟;李立本;陈修治 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种直拉硅单晶的气相掺氮方法，采用纯度为99.99％的氮气或者氩-氮混合气作为保护气氛实现气相掺氮，控制炉内气体压力为5～60托，最佳压力为15～25托，气体流量为1～6m2/hr，最佳流量为2～5m3/hr，制造氮含量为1×1014～4.5×1015/cm3的硅单晶，成品率不低于70％。应用这种气相掺氮方法，保护气体的成本可降低40～50％，其硅片有良好的机械性能，在制作半导体器件工艺过程中，硅片的破碎率降低10～15％。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉硅单晶 气相掺氮 方法 | ||
【主权项】：
1.一种直拉硅单晶的气相掺氮方法，其特征在于采用纯度为99.99％氮气，或纯度皆为99.99％的氩+氮混合气作为掺杂气体，炉内气体压力为5～60托，气体流量为1～6m3/hr，当采用氩+氮混合气作为掺杂气体时，氩气成份为1～99％(体积)，其余为氮气。
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