[其他]半导体直接键合的表面处理方法无效
| 申请号： | 87105937 | 申请日： | 1987-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN87105937A | 公开（公告）日： | 1988-06-01 |
| 发明（设计）人： | 吕世骥;阮宝崧;郭跃华;蔡跃明;陆明莹 | 申请（专利权）人： | 南京工学院 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 南京工学院专利事务所 | 代理人： | 楼高潮,陆志斌 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于半导体片直接键合的表面处理方法，采用等离子体表面处理，不仅可以增加半导体表面的OH浓度，而且可以增加表面层内原子活性。从而显著增大键合强度。本方法可以在半导体表面生长绝缘层的同时完成，操作方便，成本低，便于在批量生产中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 直接 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、用于半导体片直接键合的表面处理方法，其特征在于将清洗好的半导片置于利用直流、直流弧、交流、高频或微波方法激发产生的等离子体中进行表面处理、处理温度为室温至1300℃，等离子体为O2、H2、N2、HN3、H2O或其适当比例混合的气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
