[发明专利]化学汽相淀积装置无效

专利信息
申请号: 87106283.6 申请日: 1987-09-09
公开(公告)号: CN1020290C 公开(公告)日: 1993-04-14
发明(设计)人: 高山彻;犬岛乔;尾高政一;林茂则;広濑直树 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: C23C16/48 分类号: C23C16/48;C23C16/34
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 齐曾度
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种改进的用于沉积均匀薄膜的CVD装置。该装置包括一个反应室,一个底物支持器和多个用于光化CVD的光源,或一对用于等离子体CVD的电极。底物支持器是被光源包围的圆筒形底物加热车,并且是由驱动装置带动绕轴自转。利用这种配置,应用光或等离子体可使装在加热车上的底物及其周围,从而使整个待覆涂表面均匀地进行激发。
搜索关键词: 化学 汽相淀积 装置
【主权项】:
1.一种光化增强的CVD(化学汽相淀积)装置,该装置包括:一个可抽真空的反应室;用于向所述反应室中引入反应气体的装置;一个安装在所述反应室中的通常为柱形底物的夹持器,所述底物夹持器的外周表面能够夹持住多件底物;多个长形的光源并且围绕该底物夹持器均匀地排布,使之向底物进行照射,其中每一个所述的光源都是以气密方式封在能透光的套管内,并且置于该反应室之内。
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