[发明专利]陶瓷复合材料件的制造方法无效
申请号: | 87106359.X | 申请日: | 1987-09-16 |
公开(公告)号: | CN1020758C | 公开(公告)日: | 1993-05-19 |
发明(设计)人: | 马克·S·纽克克 | 申请(专利权)人: | 兰克西敦技术公司 |
主分类号: | C22C29/12 | 分类号: | C22C29/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 穆德俊,樊卫民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种由氧化铝母体金属来形成多晶陶瓷料去生产陶瓷复合体的方法,其中提供了一种填料,此填料中至少有一部分具有硅源涂层涂有硅源的填料在组成上不同于初始填料,该硅源具有本征掺杂性质。邻接着此种料团的一种熔融母体金属体与一种氧化剂反应,形成了一种氧化反应产物,后者渗入到此邻接的填料团中,由此而形成了这种陶瓷复合体。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 复合材料 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制备自支承陶瓷复合体的方法,复合体含有(1)由氧化一种铝母体金属形成多晶材料而获得的一种陶瓷基质,此种多晶材料包含(a)上述母体金属与至少一种包括汽相氧化剂在内的氧化剂之氧化反应产物,以及(b)任意选择的一种或多种金属组分;(2)为所说基质渗入的一种填料;该方法包括:(A)取定上述铝母体金属与填料相互间的相对方向,使此种氧化反应产物的形成将在朝着该填料的方向上发生并进入填料,在氧化反应之前或期间,至少在某种程度上该填料中至少有一部分填料上载有一种硅前体涂层,此硅前体的组成不同于该填料的原始组成,述及的硅前体能形成具有本征掺杂性质的硅源;(B)加热上述铝母体金属至一高于其熔点但低于该氧化反应产物熔点的温度,以形成一种熔融的铝母体金属,同时,该熔融铝母体金属即与所说氧化剂在上述温度下反应而形成此氧化反应产物,并在此温度下让至少是一部分这种氧化反应产物与该熔融金属体和该氧化剂接触且介于此二者之间,以该熔融金属逐渐地通过此氧化反应产物朝上述氧化剂迁移并进入填料,以使这种新的氧化反应产物继续在该填料内氧化剂和已形成的氧化反应产物二者之间的界面上形成;(C)继续上述反应一段充分时间,使多晶材料渗入至少一部分填料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰克西敦技术公司,未经兰克西敦技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/87106359.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。