[其他]磁多层结构无效
| 申请号： | 87106513 | 申请日： | 1987-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1005941B | 公开（公告）日： | 1989-11-29 |
| 发明（设计）人： | 小林俊雄;大友茂一;中谷亮一;熊坂登行 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有高磁导率及高饱和磁通密度的磁多层结构，包括互相变替叠置的多个磁层和多个中间层。各磁层由Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ或包含这些元素的一种的金属制成，各中间层由能与磁层材料形成填隙固溶体的材料制成。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 结构 | ||
【主权项】：
1、具有高磁导率和高饱和磁通密度的磁多层结构，该结构包括多个磁层和多个中间层，每个所述中间层都位于每个相邻所述磁层之间，其特征在于：各所述磁层都是从由Fe、Co、Ni和以至少一种这些元素作为主要组分的合金所组成的组中选出的磁性材料制作的；各所述中间层是用能同所述磁层的所述材料形成填隙固溶体的材料制的。
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