[发明专利]磁多层结构无效
| 申请号： | 87106513.4 | 申请日： | 1987-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1005941B | 公开（公告）日： | 1989-11-29 |
| 发明（设计）人： | 小林俊雄;大友茂一;中谷亮一;熊坂登行 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01F10/30 | 分类号： | H01F10/30;H01F10/26;H01F10/16;G11B5/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有高磁导率及高饱和磁通密度的磁多层结构，包括互相变替叠置的多个磁层和多个中间层。各磁层由Fe、Co、Ni或包含这些元素的一种的金属制成，各中间层由能与磁层材料形成填隙固溶体的材料制成。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 结构 | ||
【主权项】：
1.具有高磁导率和高饱和磁通密度的磁多层结构，该结构包括多个磁层和多个中间层。每个所述中间层都位于每个相邻所述磁层之间，各所述磁层都是从由Fe、Co、Ni和以至少一种这些元素作为主要组分的合金所组成的组中选出的磁性材料制作的，其特征在丁：各所述中间层材料由B、C、N、P、S和含有B、C、N、P和S中的至少一种元素的化合物所组成的组中选出。任一所述磁层与其上的中间层的厚度之和大致在0.2nm至250nm的范围内，各所述中间层厚度大约在0.05nm至5nm的范围内。所述各中间层的厚度与所述各磁层的厚度的比值大致在0.01至0.25的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所，未经株式会社日立制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/87106513.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：互感核磁共振射频线圈匹配装置
- 下一篇：用于至少一个光波导管的保护套
