[其他]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 87106738 | 申请日： | 1987-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN87106738A | 公开（公告）日： | 1988-04-06 |
| 发明（设计）人： | 大沼诚 | 申请（专利权）人： | 松下电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/18;H01L27/10;H01L21/72;G01C17/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,杜有文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在ROM(只读存储器)中采用了MIS型多栅结构的晶体管，方法是在各栅中配置了阈值电压控制区和利用各栅的阈值电压差。在阈值电压控制区中，其中一个栅结构具有这样获得的多栅结构采用第一栅结构部分作为掩模刻蚀衬底的半导体，以便在刻蚀过的表面形成规定的杂质扩散层，同时在该杂质扩散层上形成第二栅结构部分，所述第一和第二栅结构部分可采用自行配合的方法形成，它们的就位很简单，因而可进一步缩小各部件的体积，可构成适宜更高集成度的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，该器件包括：-第一杂质扩散层，配置在半导体衬底上的一个选择区；至少其中一个第一栅由第一栅绝缘薄膜和配置在所述第一杂质扩散层的一个第一栅电极组成；所述半导体衬底的一凹面，与所述第一栅毗邻配置；-第二杂质扩散层，配置在所述凹面上；至少其中一个第二栅由第二栅绝缘薄膜和配置在所述第二杂质扩散层的第二栅电极组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电子工业株式会社，未经松下电子工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/87106738/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：熔融金属罐的气体清洗装置
- 下一篇：带改进防转动机构的摇摆盘式压缩机
- 同类专利
- 专利分类
