[发明专利]可控硅控制方法和设备无效

专利信息
申请号: 87106772.2 申请日: 1987-10-03
公开(公告)号: CN1009979B 公开(公告)日: 1990-10-10
发明(设计)人: 金恩光 申请(专利权)人: 金恩光
主分类号: H02M1/06 分类号: H02M1/06;H03K3/02;H02P7/36
代理公司: 上海专利事务所 代理人: 傅远
地址: 上海市望云路*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种产生和控制可控硅触发脉冲的方法和设备,将来自电源的正弦波信号变换为矩形波,经多次二分频及微分后得到各组脉冲序列。用数字信号选择若干个上述脉冲序列加以复合,得到用于控制可控硅的触发脉冲。
搜索关键词: 可控硅 控制 方法 设备
【主权项】:
1.一种可控硅触发的数控方法,特别是产生和控制触发脉冲的方法,包括下列步骤:(1)从电源取得一同相位、同频率的低压交流信号;(2)对上述低压交流信号的波形进行变换,得到一上升沿和下降沿与交流信号的零点相对应的基准矩形波;其特征在于:(3)按上述基准矩形波的上升沿或下降沿对其进行2、22、23、……、2n分频操作,连同上述基准矩形波,共得到n+1个不同频率的矩形波;(4)对每一个矩形波进行微分、产生一路与其对应的脉冲信号;(5)用一组数字信号与步骤(3)中的上升沿或下降沿相对应地选择若干路脉冲信号的负脉冲或正脉冲;(6)对所选择的负脉冲或正脉冲进行逻辑“或”运算,得到用于触发可控硅的触发脉冲。
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