[发明专利]一种光电阴极导电基底无效
| 申请号： | 87106900.8 | 申请日： | 1987-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1003897B | 公开（公告）日： | 1989-04-12 |
| 发明（设计）人： | 牛憨笨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01J40/06 | 分类号： | H01J40/06 |
| 代理公司： | 中国科学院西安专利事务所 | 代理人： | 顾伯勋,谢碧华 |
| 地址： | 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 提出了一种新的光电阴极导电基底，此种导电基底是通过在光电阴极玻璃窗上真空镀铬1000A厚，用铬板进行光刻，通过腐蚀，在光电阴极玻璃窗上形成了任意走向的线宽为2～4μm的铬网。这种光电阴极导电基底的面电阻率低于300μΩ/口，光透过率大于80％，并与任何半导体光电阴极相容。由于该导电网铬走向是随机的，光电器件的空间分辨率不受莫尔现象的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 阴极 导电 基底 | ||
【主权项】：
1.一种由玻璃窗和金属网络构成的超快速光电器件的半导体光电阴极导电基底，其特征在于所说的金属网络为任意走向的线宽为2～4μm的铬网。
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