[其他]在半导体圆片的边缘制造斜面的方法无效

专利信息
申请号: 87106903 申请日: 1987-10-13
公开(公告)号: CN87106903A 公开(公告)日: 1988-04-20
发明(设计)人: 吉利·德劳希 申请(专利权)人: BBC勃朗·勃威力有限公司
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;B24B9/06
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 程天正,吴秉芬
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于让半导体圆片(1)的边缘成型为斜边的方法,这边缘由一个倾斜安放的砂轮圆盘磨削而成。处在由压紧机构(3,6)组成的压紧装置中的半导体圆片(1)的对中可借助于一与之成合金接触的钼质圆片(2)完成,钼质圆片紧贴着仿形圆盘(9)转动。采用具有适当颗粒度和粘结剂的金刚石砂轮圆盘是特别有利的。
搜索关键词: 半导体 边缘 制造 斜面 方法
【主权项】:
1、一使半导体器件,特别是中、高压二极管的园片(1)的边缘成形为斜边(11)的方法,其特征在于:半导体园片(1)紧压后仍可在园片平面上旋转,园片边缘(11)由一旋转砂轮(7)正面磨削半导体园片(1)而成,砂轮的转轴(8)与压紧的半导体园片(1)的转轴之间相交成一适当的角度。
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