[发明专利]分离磁体式平面磁控溅射源无效
| 申请号： | 87106947.4 | 申请日： | 1987-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1003655B | 公开（公告）日： | 1989-03-22 |
| 发明（设计）人： | 王德苗;任高潮 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种分离磁体式平面磁控溅射源，其磁场源由一固定的环状外磁组件和绕转轴旋转的内磁组件构成，水冷器的冷却水优先进入内磁组件腔III，从内磁组件1的顶部溢出。本溅射源能产生一个或多个作圆周运动的扇形等离子体闭合环，或者产生一个能旋转的∞字形等离子体闭合环。同已有的平面磁控溅射源比较，具有靶面有效溅射区域大、溅射刻蚀均匀、靶材利用率高、薄膜的等厚度沉积面积大等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 磁体 平面 磁控溅射 | ||
【主权项】：
1、一种分离磁体式平面磁控溅射源，包括磁场源、溅射靶及水冷器，其特征在于：—所述的磁场源由固定的环状外磁组件2和一个或多个可作旋转运动的内磁组件1构成，其中，内磁组件1包括极靴1、外磁体1′和内磁体1″—内磁组件1设置于水冷器中，且冷却水优先进入内磁组件腔III，并从内磁组件1的上部溢出。
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