[其他]在半导体功率元件的半导体薄片边缘上开环形槽的方法无效
| 申请号： | 87107167 | 申请日： | 1987-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN87107167A | 公开（公告）日： | 1988-05-04 |
| 发明（设计）人： | 吉里·德劳希;奥托·库恩;安德烈亚斯·鲁格 | 申请（专利权）人： | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B9/06;B24B19/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,吴秉芬 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在功率半导体元件的半导体薄片(5)边缘上开环形槽(8)的方法，该方法首先将边缘表面磨削，然后用边缘制成相应轮廓线的成形砂轮(3)一次操作开出槽(8)。采用粒度适度、结合方式适当的金刚砂粒制成的金刚砂轮可以获得高生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 元件 薄片 边缘 开环 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在半导体功率元件的半导体薄片(5)边缘上开环形槽(8)的方法，该方法是靠机械磨削将槽刻在半导体薄片(5)上的，其特征在于：甲)首先，表面磨削半导体薄片(5)的边缘；乙)然后，采用边缘相应制成一定轮廓的成形砂轮(3)一次操作磨削出沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
