[发明专利]具有混合氧化物绝缘体的二极管无效
| 申请号： | 87107422.2 | 申请日： | 1987-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1009602B | 公开（公告）日： | 1990-09-12 |
| 发明（设计）人： | 戴维·阿瑟·弗斯特;利昂·约瑟夫·维兰 | 申请（专利权）人： | 美国无线电公司 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 何耀煌,肖掬昌 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种MIM二极管(10)的绝缘体(14)具有80毫微米的最大厚度、并且包括氧化钽和另一种氧化物(例如氧化铝或氧化硅)的混合物。和包括纯氧化钽的绝缘体相比，该混合物具有较低的漏电流和较高的非线性。所述另一种氧化物可以具有该绝缘体的、大约在10至70之间的平均摩尔百分数，该绝缘体的最小厚度可以是大约35毫微米、以避免出现针孔。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 混合 氧化物 绝缘体 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种包括第一和第二电极以及设置在所述电极之间的绝缘体的二极管，其特征在于：所述绝缘体(14)包括氧化钽和另一种氧化物的混合物，并且其最大厚度是大约80毫微米。
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