[其他]具有一连续渐变带隙半导体区域的半导体器件无效
| 申请号： | 87107592 | 申请日： | 1987-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN87107592A | 公开（公告）日： | 1988-10-12 |
| 发明（设计）人： | 斋藤惠志;藤冈靖 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/14 | 分类号： | H01L29/14;H01L29/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种改进的半导体器件，诸如改进的渐变带隙晶体管和改进的渐变带隙二极管，其特征在于该器件由含有硅原子、调节带隙的原子和降低定域能级的原子的非单晶材料构成，并且该器件至少在非结位置的一个方位上还具有一个带隙连续渐变的区域，而且只有导带和价带之一是连续渐变的。即显著地改善了频率特性，又改善了光敏效应。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 连续 渐变 半导体 区域 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，该器件由含有硅原子、一种调节带隙的原子和一种降低定域能级的原子的非单晶材料构成，该器件至少在非结位置的一个方位上还具有一个带隙连续渐变的区域，並且只有导带和价带之一是连续渐变的。
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