[发明专利]具有缓变源漏区的金属氧化物半导体场效应集成电路的制造方法

摘要

本发明叙述了一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，其中的源和漏区的配置是通过基本上垂直于衬底表面的离子注入方式分两个步骤实现的，使得杂质的浓度随着远离电极元件的横向距离而增加，以便抑制热电子注入，防止沟道效应，增加穿通电压以及增加对栅有利的击穿电压。

主权项

1.一种制造金属氧化物半导体(MOS)集成电路的方法，其特征在于它包括下列步骤：(a)在一部分的半导体衬底的表面上形成一个绝缘栅极，所说绝缘栅极具有一上表面和形成为所说上表面侧壁的相对侧边；(b)在所说衬底的上方，包括在所说栅元件的所说相对侧边和上表面的上方，形成一层热氧化绝缘层；(c)在所说绝缘层的上面形成一层低温氧化层；(d)用各向异性方法刻蚀所说低温氧化层。(e)经一段时间后，停止所说刻蚀过程。使得有一部分所说氧化层保留在所说侧壁的附近，以形成隔离件，其中的隔离件抑制所说绝缘层的下伏部分的刻蚀；(f)使确定杂质导电类型的第一离子冲击由步骤(e)所得到的结构上，其中所说栅极和所说隔离件起掩蔽下伏在所说栅极和隔离件的衬底的作用，使得第一离子注入区在所说栅极上形成，并被下伏在所说栅极和隔离件的非注入区所隔离。(g)除去所说隔离件，但保留一部分下伏在所说隔离件的所说热氧化绝缘层；(h)使与所说第一离子有相同导电类型的确定杂质导电类型的第二离子冲击在由步骤(g)所得到的结构上，其中所说栅极的作用是将其下伏的衬底与所说第二离子掩蔽开来，先前就已配置而伏在所说隔离件的其余热氧化绝缘层使所说离子散射，与下伏在所说栅极的衬底紧邻的所说衬底具有较所说第一离子注入区低的离子浓度。(i)加热所说衬底，以扩散至少一部分在所说栅元件下方的所说离子，并激括所说离子。从而形成缓变的源区和漏区。