[发明专利]加有磁场的微波等离子体化学汽相淀积法无效
申请号: | 87107779.5 | 申请日: | 1987-11-09 |
公开(公告)号: | CN1017726B | 公开(公告)日: | 1992-08-05 |
发明(设计)人: | 犬岛乔;广濑直树;山崎舜平;田代卫 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/22 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖掬昌,何关元 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本说明书叙述了一种新型的化学汽相淀积法。这里化学汽相反应的主要的激发动力不是电子回旋共振(这时的电子作为独立粒子能够运动而不相互作用)而是混合回旋共振。在这种新提出的共振中,共振空间较大,因而用此新方法可将金刚石之类的高熔点物质淀积成薄膜状。 | ||
搜索关键词: | 磁场 微波 等离子体 化学 汽相淀积法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理方法,包括下列步骤:将待处理的衬底放在一反应室中;将一反应气体输进所说反应室;在所说反应室中建立一磁场;将微波供给所说反应室,以在所说磁场影响下由所说微波激发所说反应气体;其特征在于,所说衬底放置在磁场强度为满足电子回旋共振条件的磁场强度的±21.2%之处。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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