[发明专利]在硅或砷化镓基底上制备反射防止膜的方法无效
| 申请号： | 87107819.8 | 申请日： | 1987-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1017164B | 公开（公告）日： | 1992-06-24 |
| 发明（设计）人： | 坪井俊吾 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;G02B1/10 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 王丽川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含有氧化钛和氧化锆的蒸镀用的氧化钇组成物，及用这种组成物作为蒸镀材料制造用于如硅或GaAs那样的III-V族化合物半导体用的反射防止膜，该反射防止膜能使被蒸镀物上的表面反射率几乎为零。而且，由于时效变化小，动作时间可以延长。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓 基底 制备 反射 防止 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅或砷化镓基底上制备改射防止膜的方法，其特征在于在氧化钇中加入0.5-4.8％(重量)氧化钛和80-0％(重量)氧化锆(在图4中所示的ABC范围内的氧化钛和氧化锆)经充分混合后以500Kg/cm2的压力冲压成型后，在约1300℃下进行3小时的烧结得到蒸镀用的片剂，将所述的片剂配置在蒸镀装置中的电子枪里，排气至真空度达6.666×10-3帕，并加大电子枪的输出功率，提高片剂的温度使之熔化，再在基底温度为120°-300℃下进行蒸镀。
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