[实用新型]平面型气敏半导体传感元件无效
| 申请号： | 87216840.9 | 申请日： | 1987-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN2030379U | 公开（公告）日： | 1989-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘光宇 | 申请（专利权）人： | 公安部沈阳消防科学研究所 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;G01N27/12 |
| 代理公司： | 沈阳市专利事务所 | 代理人： | 徐薏华 |
| 地址： | 辽宁省沈阳市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及的是一种半导体气敏复合元件，它的特点是在具有横向P-N结平面型硅器件漂移区、注入区表面及其电极上，淀积了一层有气敏活性金属氧化物多晶半导体覆盖层。它互换性好，灵敏度高，耗能低，适于以黑白元件方式接成电桥式电路，用来构成监测还原性气体的传感器，适用于对各种可燃性气体及挥发性、易燃、易爆有机溶剂的监测。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 型气敏 半导体 传感 元件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体气敏复合元件，它包括由衬底、漂移区、注入区、电极和SiO2保护层构成的、具有横向P-N结平面型硅器件，其特征在于：在漂移区和注入区及其电极的表面加一层金属氧化物气敏活性材料的覆盖层。
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