[其他]低膨胀陶瓷及其制造方法无效
申请号: | 88100211 | 申请日: | 1988-01-09 |
公开(公告)号: | CN88100211A | 公开(公告)日: | 1988-08-03 |
发明(设计)人: | 周健儿 | 申请(专利权)人: | 景德镇陶瓷学院 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10 |
代理公司: | 江西省景德镇市专利事务所 | 代理人: | 熊赣荣 |
地址: | 江西省景*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种Li2O·nAl2O3·mSiO2质低膨胀陶瓷及其制造方法,以9~12%(重量)工业碳酸锂,49~52%(重量)高岭土,37~39%(重量)石英为陶瓷基体原料,添加0.5~2.0%(重量)氧化锗作为烧结促进剂。用这种配方的合成材料可以制得主晶相为透锂长石固溶体,膨胀系数为-0.1~2.5×10-7℃-1,抗热震性强,抗折强度高,耐化学腐蚀好,形状复杂,规格各异,应用广泛的各种低膨胀陶瓷制品。本发明有效地解决了制品的微观结构与性能间的关系,可大规模稳定生产。 | ||
搜索关键词: | 膨胀 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种Li2O·nAl2O3·mSiO2质的低膨胀陶瓷;其特征在于:陶瓷基体原料中含工业碳酸锂9~12%(重量),高岭土49~52%(重量),石英37~39%(重量),氧化锗0.5~2.0%(重量),用上述配料可制成主晶相为透锂长石固溶体,膨胀系数为-0.1~2.5×10-7℃-1的各种低膨胀陶瓷制品。
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