[其他]低膨胀陶瓷及其制造方法无效

专利信息
申请号: 88100211 申请日: 1988-01-09
公开(公告)号: CN88100211A 公开(公告)日: 1988-08-03
发明(设计)人: 周健儿 申请(专利权)人: 景德镇陶瓷学院
主分类号: C04B35/10 分类号: C04B35/10
代理公司: 江西省景德镇市专利事务所 代理人: 熊赣荣
地址: 江西省景*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种Li2O·nAl2O3·mSiO2质低膨胀陶瓷及其制造方法,以9~12%(重量)工业碳酸锂,49~52%(重量)高岭土,37~39%(重量)石英为陶瓷基体原料,添加0.5~2.0%(重量)氧化锗作为烧结促进剂。用这种配方的合成材料可以制得主晶相为透锂长石固溶体,膨胀系数为-0.1~2.5×10-7℃-1,抗热震性强,抗折强度高,耐化学腐蚀好,形状复杂,规格各异,应用广泛的各种低膨胀陶瓷制品。本发明有效地解决了制品的微观结构与性能间的关系,可大规模稳定生产。
搜索关键词: 膨胀 陶瓷 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种Li2O·nAl2O3·mSiO2质的低膨胀陶瓷;其特征在于:陶瓷基体原料中含工业碳酸锂9~12%(重量),高岭土49~52%(重量),石英37~39%(重量),氧化锗0.5~2.0%(重量),用上述配料可制成主晶相为透锂长石固溶体,膨胀系数为-0.1~2.5×10-7℃-1的各种低膨胀陶瓷制品。
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