[发明专利]一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法无效
| 申请号： | 88100307.7 | 申请日： | 1988-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1003797B | 公开（公告）日： | 1989-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李立本;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法应用外加磁场的单晶炉，以纯度为99.99%的氦气或氢-氮混合气作为保护气体，通过合理控制炉内压力、气体流量等工艺制备微氮低氧低碳直拉硅单晶。其氧含量可低于10ppam，碳含量可低于1ppma，掺入氮含量小于4.5×1015/cm2。该方法制备的硅单晶，成本大幅度降低，其硅片在器件工艺中不易翘曲和破碎，成品率高，优品率增加。适合于制备2″～6″或更大直径直径的硅单晶，是制造大规模集成电路和超大规模集成电路的理想材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低氧 低碳直拉硅单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法，包括外加磁场为1000～5000高斯，增埚转速为5～20转/分，坩埚内多晶投料量为20～60千克，晶体转速为10～30转/分，拉速为0.8～1.5毫米/分，晶体直径为2″～6″，其特征在于：采用99.99％以上的霓或者99.99％以上的氩—氮混合气对硅作气相掺氮，炉内气体压力为5～80托，气体流量为4～16米3/小时。
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