[发明专利]低温烧结的含铅系压电陶瓷及其制造方法无效
申请号: | 88100350.6 | 申请日: | 1988-02-06 |
公开(公告)号: | CN1006941B | 公开(公告)日: | 1990-02-21 |
发明(设计)人: | 桂治轮;李龙土;张孝文;高素华;孙红飞;刘玉顺 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L41/187 | 分类号: | H01L41/187;H01B3/12;C04B35/49 |
代理公司: | 清华大学专利事务所 | 代理人: | 王兵 |
地址: | 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 低温烧结的含铅系压电陶瓷及其制造方法,属于压电陶瓷及其制造领域,该种陶瓷的典型基本组份为Pb1-xAx(B11/3BH2/3)y(B1y1/3B■2/3)2TiwO3+q1wt%MnO2+q2wt%SiO2+q3wt%Pb3O4+q4wt%Bi2O3+q5wt%B2O3,其中A为镉,B′为镁,B″为铌,B″′为镍,B″″为铌。该种陶瓷材料能在840℃~1000℃下烧成,工艺简单,性能优良,成本降低,可以广泛用来制压电陶瓷蜂鸣器、压电点火器、换能器、滤波器以及各种独石型压电器件。 | ||
搜索关键词: | 低温 烧结 含铅系 压电 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种低温烧结的含铅系压电陶瓷,其特征在于材料的基本组分为:Pb1-xAx(B1y3By113)y(B1y1/3B16H2/3)zZruTiwO3+q1wt%MnO2+q2wt%SiO2+q3wt%Pb304+q4wt%Bi2O3+q5wt%B2O3其中,A=CdB′=MgB″=NbB″′=NiB″″=Nb0.005≤X≤0.08,0≤y≤0.40,0≤z≤0.400<u≤0.60,0<w≤0.80,y+z+u+w=10.05≤q1≤1.0wt%0<q2≤1.0wt%0<q3≤4.0wt%0≤q4≤1.0wt%0≤q5≤1.0wt%
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