[发明专利]氧化物超导体无效
| 申请号： | 88100501.0 | 申请日： | 1988-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1015033B | 公开（公告）日： | 1991-12-04 |
| 发明（设计）人： | 长谷川晴弘;川辺潮;樽谷良倍;深泽德海;会田敏之;高木一正 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 沙捷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有高临界温度Tc的改进了的氧化物超导体，包括一种具有类钙钛矿晶体结构的K2NiF4晶体结构的氧化物，其结构由下式表示(BaxSrzLa1-x-z)2Cu1-wAgwO4(1-y)其中，X≥0，Z≥0，0.1＜X+Z＜0.3，W＝0。以及0≤Y＜1；或0≤X≤1，0≤Z＜1，0＜W＜1和0≤Y＜1，0≤X+Z＜1。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 超导体 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物超导体，包括一种具有类钙钛矿晶体结构的K2NiF4晶体结构的氧化物，其结构由下式表示：(BaxSrzLa1-x-z)2Cu1-wAgwO4(1-y)其中x≥0，z≥0，0.1＜x+z＜0.3，w＝0，0≤y＜1；或者0≤x＜1，0≤z＜1，0≤x+z＜1，0＜w＜1，及0≤y＜1。
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