[其他]半导体元件制造工艺无效
| 申请号： | 88100817 | 申请日： | 1988-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN88100817A | 公开（公告）日： | 1988-11-30 |
| 发明（设计）人： | 吉利·德劳希;奥托·库恩 | 申请（专利权）人： | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;B24B3/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴秉芬,程天正 |
| 地址： | 瑞士巴登哈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造半导体元件，尤其是制造大功率半导体元件的方法是使用空心钻(4)从一块晶片(1)上至少切下一块面积较小的圆形元件衬底(2)。按照一种优选的结构，所用空心钻(4)带有合适的钻头内侧(8)，这样在切下元件的同时又可切好某些反向电压较高的元件需要具有的边沿斜面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1、制造半导体元件，尤其是制造大功率半导体元件的方法是用机械方式从一块晶片(1)上至少切下一块面积较小的元件衬底(2)，这种方法的特点是，元件衬底(2)为圆形，是用空心钻(4)从晶片(1)上切下的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
